电子发烧友网为你提供()MAX6630MUT#TGF6相关产品参数、数据手册，更有MAX6630MUT#TGF6的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，MAX6630MUT#TGF6真值表，MAX6630MU
2022-11-03 08:21
`Qorvo的TGF2955是SiC HEMT上的离散7.56 mm GaN，工作频率为DC-12 GHz。TGF2955通常在3 GHz时提供46.4 dBm的饱和输出功率，功率增益为19.2
2020-03-31 10:34
`Qorvo TGF2933是SiC HEMT上的7 W（P3dB）离散GaN，其工作频率范围为DC至25 GHz，电源电压为28V。 该器件采用Qorvo久经考验的QGaN15工艺制成。 该设备
2020-03-31 10:31
`Qorvo的TGF2952是在SiC HEMT上的离散1.25 mm GaN，工作频率为DC-14 GHz。TGF2952通常提供38.4 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时的功率增益为20.4
2020-03-31 10:33
`Qorvo的TGF3015-SM是SiC HEMT上的10W（P3dB），50欧姆输入匹配的分立GaN，工作频率为30 MHz至3.0 GHz。集成的输入匹配网络可实现宽带增益和功率性能，而输出
2020-03-31 10:53
产品详情Qorvo的TGF2978-SM是SiC HEMT上的20 W（P3dB）宽带无与伦比的分立GaN，其工作频率范围为DC至12 GHz，电源电压为32V。 该器件采用行业标准的3x3mm
2020-02-28 11:27
`Qorvo的TGF2023-2-05是基于SiC HEMT的5.0 mm离散GaN，其工作频率范围为DC至18 GHz。TGF2023-2-05通常在3 GHz时可提供43 dBm的饱和输出功率
2021-03-18 12:03
`Qorvo的TGF2965-SM是SiC HEMT上的6W（P3dB），50欧姆输入匹配分立GaN，工作频率为0.03至3.0 GHz。集成的输入匹配网络可实现宽带增益和功率性能，而输出可在板上进
2020-03-31 10:36
`Qorvo的TGF3020-SM是SiC HEMT上的5W（P3dB），50欧姆输入匹配分立GaN，工作频率为4.0至6.0 GHz。 集成的输入匹配网络可实现宽带增益和功率性能，而输出可在板上进
2020-03-31 10:55
`Qorvo TGF2819-FL是SiC HEMT上大于200 W（P3dB）的分立GaN，其工作频率为DC至4 GHz。 该设备采用行业标准的气腔封装，非常适合IFF，航空电子设备，军用和民用
2020-03-31 10:28
