### 926AE-VB MOSFET#### 一、产品简介926AE-VB 是一款具有双N沟道共源极配置的MOSFET,采用先进的Trench技术制造。该器件设计紧凑,封装为TSSOP8,适合
2024-11-23 14:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介926A-VB 是一款集成了共源极N+N沟道配置的功率MOSFET,采用TSSOP8封装,具备20V的漏源电压和6.6A的连续漏极电流能力。采用先进的沟槽技术,该器件在低电压
2024-11-23 14:03 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ 4.5V- 门源电压(Vgs)范围:±20V- 阈值电压(Vth):1.53V- 封装:SOT223应用简介:NTF3055-100T1G-VB是一款N沟道MOSFE
2023-12-18 11:42 微碧半导体VBsemi 企业号
TPS1H100BQPWPRQ1,40V、100mΩ 单通道智能高侧电源开关TPS1H100BQPWPRQ1,40V、100mΩ 单通道智能高侧电源开关TP
2023-02-20 17:22 深圳市金和信科技有限公司 企业号
特点技术规格摘要核心组件:处理器:32 位 Arm® Cortex®-M7 内核,配备双精度浮点单元 (FPU),特性包括:L1 缓存:16 KB 数据缓存和 16 KB 指令缓存频率:高达 480
2025-02-19 11:38 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
SMMD805-SOT23-1S硅阶跃恢复二极管这些二极管具有完全钝化的真正台面结构,可实现急剧转变并提高稳定性。光束超前 SRD 具有业界最快的毫米波倍增和皮秒脉冲形成转换时间。 硅
2023-02-22 17:08 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
SMMD820-SOT23-1S硅阶跃恢复二极管这些二极管具有完全钝化的真正台面结构,可实现急剧转变并提高稳定性。光束超前 SRD 具有业界最快的毫米波倍增和皮秒脉冲形成转换时间。 硅
2023-02-22 17:00 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
SMMD840-SOT23-1S硅阶跃恢复二极管这些二极管具有完全钝化的真正台面结构,可实现急剧转变并提高稳定性。光束超前 SRD 具有业界最快的毫米波倍增和皮秒脉冲形成转换时间。 硅
2023-02-22 16:40 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号