IRF7343TRPBF (VBA5638)参数说明:极性:N+P沟道;额定电压:±60V;最大电流:6.5A / -5A;导通电阻:28mΩ / 51mΩ @ 10V, 34mΩ / 60m
2023-12-06 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号
ADV7342/ADV7343均为高速、数模视频编码器,采用64引脚LQFP封装。六个高速、3.3 V、11位视频DAC支持标清(SD)、增清(ED)或高清(HD)视频格式的复合(CVBS)、S视频
2023-07-06 11:53 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 一、7N60AL-TA3-T-VB 产品简介7N60AL-TA3-T-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar技术制造,封装形式为TO220。这款MOSFET具有中等耐压和适中
2024-11-20 17:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4N90G-TA3-T-VB 产品简介4N90G-TA3-T-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,具备高电压耐受能力和稳定的性能特性。该器件采用
2024-11-13 15:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、6N80G-TA3-T-VB产品简介**6N80G-TA3-T-VB**是一款高压单N沟道功率MOSFET,采用了TO220封装。该器件具有优秀的耐压能力和稳定性,适合于需要处理高电压
2024-11-18 16:15 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、3N80L-TA3-T-VB 产品简介3N80L-TA3-T-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装。该产品具有850V的漏源极电压(VDS),30V的栅源极电压(VGS
2024-11-07 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 15N40L-TA3-T-VB 产品简介15N40L-TA3-T-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,具有高压容忍性和低导通电阻。采用 SJ_Multi-EPI 技术制造,适用于需要
2024-07-06 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5N80G-TA3-T-VB MOSFET 产品简介5N80G-TA3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装。它由VBsemi采用SJ_Multi-EPI技术制造
2024-11-14 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi 的 2N60LL-TA3-T-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。这款 MOSFET 适用于中压应用,具有稳定的性能和可靠性。### 详细
2024-07-11 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号