## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件,它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻,适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
M2GL060T-1VFG784I 芯片概述M2GL060T-1VFG784I 是一款高性能的 FPGA(现场可编程门阵列)芯片,广泛应用于各种嵌入式系统和数字信号处理领域。该芯片具有
2024-10-14 11:22 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介APM7512NG-VB 是一种单 N 沟道 MOSFET,封装在 TO263 外壳中。该器件采用沟槽技术制造,专为高电流、高电压应用设计。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合
2024-12-31 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: M2GL060T-VFG784I封装: FGG784逻辑单元: 60K存储器: 4.5MbI/O 引脚: 48工作温度范围: -40°C 至 100°C供电电压: 1.2V、3.3V最大
2024-10-14 11:26 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
一、产品简介:IPD230N06NG-VB是一款N沟道场效应管,由品牌VBsemi生产。该器件具有60V的漏极-源极电压额定值,能够承受最大45A的漏极电流。其导通状态下的导通电阻(RDS
2024-06-03 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详细:APM3055NG-VB 是一款高性能的单路N沟道场效应管,采用先进的Trench技术制造,封装为TO263。该器件具有30V的漏极-源极电压(VDS),适用于低至中等电压范围
2024-12-30 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号