本帖最后由 逸興遄飛 于 2016-4-17 16:14 编辑 J-link仿真器引腳怎麼看 如圖所示：小鋼炮板子上只有四個引
2016-04-15 22:51
經過波峰焊錫製程後，也需要在仔細檢視焊錫的均勻性及判斷出由於腳距或元件相距太近而有可能會使焊點產生缺陷的潛在位置。 細微腳距技術細微腳距組
2018-08-23 19:28
現在遇到了個棘手的問題，cannon開發板焊盤好像沒有標註PIN的順序，比如1腳是哪個，這樣的話很可能接錯引腳，就那串口引腳
2016-04-17 22:12
设计，且高温下的导通电阻也很低。※该数据是ROHM在相同条件下测试的结果，仅供参考。此处表示的特性本公司不做任何保证。4. 驱动门极电压和导通电阻SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21
少量的电阻器便可配置简单或复杂的电源特性。免除了串联 MOSFET，其寄生压降和功耗也随之而被消LTC2927在纖巧的8引肢ThinSOT™和8引脚(3mm x2mm) DFN 封
2018-10-22 17:01
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34
，但由于第三代（3G）SiC-MOSFET导通电阻更低，晶体管数得以从8个减少到4个。关于效率，采用第三代（3G）SiC-MOSFET时的结果最理想，无论哪种SiC-MOSFE
2018-11-27 16:38
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58
设计，且高温下的导通电阻也很低。※该数据是ROHM在相同条件下测试的结果，仅供参考。此处表示的特性本公司不做任何保证。4. 驱动门极电压和导通电阻SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05
