ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率
2023-02-10 09:41
电源设计小贴士42：可替代集成MOSFET的分立器件
2018-08-16 00:08
在大电流应用中利用 SiC MOSFET 模块
2023-01-03 14:40
在现今电力电子领域，高压（HV）分立功率半导体器件变得越来越重要，Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si)MOSFET产品系列以满足发展中的需求。
2023-07-07 10:11
和MOSFET器件的同时，没有出现基于SiC的类似器件。 SiC-MOSFET与IGBT有许多不同，但它们到底有什
2017-12-21 09:07
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求 2、车规级功率模块封装的现状 3、英飞凌最新SiC HPD G2和SS
2023-10-27 11:00
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低
2024-10-16 13:52
IGBT的驱动电压一般都是15V，而SiC MOSFET的推荐驱动电压各品牌并不一致，15V、18V、20V都有厂家在用。更高的门极驱动电压有助于降低器件导通损耗，SiC
2024-05-13 16:10
、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像
2023-10-18 16:05
本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件，功率模块主要包括碳化硅MOSFET
2023-09-08 11:30
