和MOSFET器件的同时,没有出现基于SiC的类似器件。 SiC-MOSFET与IGBT有许多不同,但它们到底有什
2017-12-21 09:07
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件,具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低
2024-10-16 13:52
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列,进行详细介绍
2023-11-01 14:46
随着电动汽车的车载充电器 (OBC) 迅速向更高功率和更高开关频率发展,对 SiC MOSFET 的需求也在增长。许多高压分立 SiC
2023-06-08 15:40
SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,热导率是Si的3倍,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。
2018-07-15 11:05
谈起电源转换器的设计,诸如碳化硅(SiC)等宽禁带(WBG)技术是当今进行器件选择时的现实考虑。650V SiC MOSFET的推出使它们对于某些以前从没有考虑过的应用
2021-04-03 09:17
,因此对于驱动器提供高效率水平至关重要。 在工业电源应用中,电子设计人员可以通过使用基于碳化硅的晶体管 (SiC MOSFET) 获得巨大的好处,与传统的基于硅的解决方案(例如IGBT(绝缘栅双极晶体管))相比,它提
2022-08-04 10:09
罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块
2018-05-17 09:33
在现代电力电子技术中,氮化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)因其优异的性能而受到广泛关注。SiCMOSFET以其高效率、高温耐受性和高频性能等特点,成为新一代电力电子器件的代表
2025-01-06 17:01
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件
2023-02-22 09:15