IGBT开关等效电路和开通波形电路
2010-02-17 17:22
在图1的半桥电路中，动作管为下管S1，施加在上管S2的为关断驱动信号，其体二极管处于续流状态。当S1进行开通时，其端电压VDS1下降，则S2开始承受反向电压，其两端的电压VDS
2022-06-23 10:57
今天群友在群里提了个问题，大致是 示波器测试出来的波形有异常 ，原理图如下：
2023-12-11 17:34
很多电源工程师刚刚接触SiC MOSFET不久，往往会在驱动电压测量上遇到问题，即测得的驱动电压震荡幅值较大、存在与理论不相符的尖峰，导致搞不清楚是器件的问题还是电路设计的问题，进而耽误开发进度。
2022-10-28 10:09
开关特性是功率半导体开关器件最重要的特性之一，由器件在开关过程中的驱动电压、端电压、端电流表示。一般在进行器件评估时可以采用双脉冲测试，而在电路设计时直接测量在运行中的变换器上的器件波形，为了得到正确的结论，获得精准的开关过程
2022-11-28 13:35
通过调节频率使PFC电感电流在每个高频周期过零，以实现PFC二极管的零电流关断，消除反向恢复损耗。PFC二极管电流过零后，PFC电感与MOSFET寄生电容谐振，使Vds过零以实现零电压开通，不过零则谷底开通，降低开关
2023-03-21 09:35
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10
近期吉林客户送修一台泰克DPO7254示波器，报修的故障是基线波形异常。对示波器进行初步检测，确定故障与客户报修一致。
2022-12-23 15:04
本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。
2025-03-26 16:52
寄生电感是SiC MOSFET Vds尖峰和振铃的主要原因。SiC MOSFET的快速开关速度会导致较高Vds尖峰和较长的振铃时间。这种尖峰会降低设备的设计裕量，并且较
2022-08-29 15:20
