电子发烧友

今天群友在群里提了个问题，大致是 示波器测试出来的波形有异常 ，原理图如下：

2023-12-11 17:34

通过调节频率使PFC电感电流在每个高频周期过零，以实现PFC二极管的零电流关断，消除反向恢复损耗。PFC二极管电流过零后，PFC电感与MOSFET寄生电容谐振，使Vds过零以实现零电压开通，不过零则谷底开通，降低开关

2023-03-21 09:35

CAN波形一定都是标标准准的方波吗？其实并非如此，今天就把CAN总线上的幅值“异常”归归类。CAN-bus信号产生原理众所周知，一个标准CAN节点由微处理器、控制器、收发器构成。多个节点成总线型架构

2024-06-26 08:25 ZLG致远电子 企业号

在电力电子系统中，MDDMOS管的开关异常往往导致效率骤降、EMI超标甚至器件损毁。某新能源汽车OBC模块因驱动波形振荡引发MOS管过热，导致整机返修率高达15%。本文结合典型故障案例，剖析

2025-03-06 10:31 MDD辰达半导体 企业号

本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的

2015-06-12 09:51

*本论文摘要由PCIM官方授权发布/摘要/本文分析了系统寄生参数对SiC(碳化硅)器件使用的影响。本文还研究了SiCMOS开关开通时的过流机理，以及开通电流振荡的原因。除了寄生电感对功率器件电压应力

2024-08-30 12:24 英飞凌工业半导体 企业号

在设计SiC（碳化硅）驱动电源时，需要考虑以下几个关键要点：

2024-03-18 18:02 深圳市利华鸿电子科技 企业号

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。碳化硅SiC MOSFET这些优良特性，需要通过模块封装

2024-10-16 13:52

比邻驱动(Nextdrive)是瞻芯电子自主创新开发的一系列碳化硅(SiC)专用栅极驱动芯片，具有紧凑、高速和智能的特点。

2023-07-21 16:18

实际的电机驱动信号波形也有一些是在设计图(即时序图)中无法体现的。接下来将为您介绍其中无法通过此前的介绍内容理解的一些关键要点。

2023-09-20 14:22