的开关过程基于电流源来讨论。当驱动信号加在功率MOSFET的栅极时，开通过程分为4个模式（阶段），其等效电路如图2所示。图2：功率MOSFET开通过程图3：功率MOSFET开通
2017-02-24 15:05
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极
2023-06-16 06:04
GeneSiC高速高压SiC驱动大功率创新
2023-06-16 11:08
Transistor : 绝缘栅极双极型晶体管）等少数载流子器件（双极型器件），但是却存在开关损耗大 的问题，其结果是由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动。SiC材料却能够以高频器件结构的多数
2019-07-23 04:20
开关管由开通到关断的功耗测试 由开通到关断的时间Toff-rise(nS) 100 (测量电压波形的上升时间,单位ns) 由开通到关断电压的最大值Voff-max(V)
2011-06-10 10:12
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的最大峰值漏极-源极电压小于器件规格的标称漏极-源极中断电压的90
2021-11-12 08:12
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的开通/关断
2021-10-28 08:37
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了
2023-09-05 07:32
电子书“IGBT 和 SiC 栅极驱动器基础知识”
2022-10-25 17:20
