SiC，作为发展最成熟的宽禁带半导体材料之一，具有禁带宽度宽、临界击穿电场高、热导率高、电子饱和漂移速度高及抗辐射能力强等特点。
2023-09-28 16:54
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器
2018-07-15 11:05
塑料及其应用介绍
2011-01-17 19:04
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器
2018-09-29 09:08
近日，华为于4月2日公布一项名为“钠电池复合正极材料及其应用”的发明专利，该专利技术可实现复合正极材料包括内核和包覆内核的包覆层，内核包括层状钠正极活性材料，包覆层材料
2024-04-07 10:54
展会简介：印度国际电子元器件、材料及生产设备展览会由世界著名的展览公司之一德国慕尼黑展览公司主办，是国际最大的电子元器件展——慕尼黑电子元器件展（electronica
2006-04-15 17:25
是 21 世纪的关键前沿技术之一，欧美发达国家为促进纳米材料和技术的发展制定了多个科研计划，投入巨额研发经费，并在多个领域取得重要成果。 目前国内规模较大的纳米应用产品主要集中在纳米粉体材料及其相关产品。而纳米生物
2020-10-10 17:20
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率器件
2022-07-29 14:09
台庆 | USB3.2/USB4.0應用
2023-06-30 16:22
