电力电子将在未来几年发展，尤其是对于组件，因为 WBG 半导体技术正变得越来越流行。高工作温度、电压和开关频率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。从硅到 SiC 和
2022-07-27 10:48
作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以，出现了以Si基器件为主导，SiC和
2020-08-27 16:26
超结（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商业化用于功率器件应用领域以来，在400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件，我们将在本文中重点介绍其一些性能特性和应用空间。
2023-06-08 09:33
氧化镓有望成为超越SiC和GaN性能的材料，有望成为下一代功率半导体，日本和海外正在进行研究和开发。
2023-04-14 15:42
SiC、GaN等下一代功率器件的企业有所增加，为数众多的展示吸引了各方关注。SiC和GaN也变得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46
驱动 SiC/GaN 功率开关需要设计一个完整的 IC 生态系统，这些 IC 经过精密调整，彼此配合。于是这里的设计重点不再只是以开关为中心……
2018-06-22 09:19
作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。
2020-09-11 10:51
随着现代电力电子的高速发展，SiC/GaN 功率器件的应用越来越广泛，工程师经常要测量频率高达数百 kHz，电流高达数十安培的功率电路。
2024-03-13 10:50
云计算、虚拟宇宙的大型数据中心以及新型智能手机等各种小型电子设备将继续投资。SiC 和 GaN 都可以提供更小的尺寸和更低的热/功耗，但它们成为标准技术还需要一些时间。
2023-01-11 14:23
与SiC/GaN开关的驱动相关的一个关键方面是它们需要其在高压和高频条件下工作。在这些条件下，根本不允许使用容性或感性寄生元件。设计必须精雕细琢，在设计电路板路由、定义布局时务必特别小心。
2018-10-11 10:26
