与SiC/GaN开关的驱动相关的一个关键方面是它们需要其在高压和高频条件下工作。在这些条件下，根本不允许使用容性或感性寄生元件。设计必须精雕细琢，在设计电路板路由、定义布局时务必特别小心。
2018-10-11 10:26
功率半导体”多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前，功率半导体材料正迎来材料更新换代，这些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓），二者的物理特性均优于现在使用的Si（硅），作为“节能王牌”受到了电力公司、汽车厂商和电子厂商等的极大期待。
2013-03-07 14:43
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比，它们具有更高的效率、功率密度和开关频率等主要优势。离子注入是在硅器件
2024-04-29 11:49 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
对于更紧凑的纯SiC/GaN应用，新型隔离式栅极驱动器ADuM4121是解决方案。该驱动器同样基于ADI公司的iCoupler数字隔离技术，其传播延迟在同类器件中最低 (38 ns)，支持最高开关
2018-05-24 17:24
为了充分利用新型功率转换技术，必须在转换器设计中实施完整的 IC 生态系统，从最近的芯片到功率开关和栅极驱动器。
2018-11-28 16:17
/dt也就越大。影响dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料，其次是器件的电压、电流、温度以及驱动特性。为了加深大家对高速功率半导体器件的理解，今天我们以SiC和GaN为例来聊一下这个话题，看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29
碳化硅（SiC）是最成熟的WBG宽带隙半导体材料， 它已经广泛用于制造开关器件，例如MOSFET和晶闸管。氮化镓（GaN）具有作为功率器件半导体的潜力，并且在射频应用中是对硅的重大改进。
2020-04-30 14:35
SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。SiC器件相对于Si器件的优势之处在于，降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。
2019-05-09 10:06
SiC电力电子器件主要包括功率二极管和三极管（晶体管、开关管）。SiC功率器件可使电力电子系统的功率、温度、频率、抗辐射能力、效率和可靠性倍增，带来体积、重量以及成本的大幅减低。SiC功率器件应用领域可以按电压划分：
2018-06-05 17:21
本手册概述了 ACPL-P349/W349 评估板的特性以及评估隔离式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 栅极驱动器所需的配置。需要目视检查以确保收到的评估板处于良好状态。
2021-06-23 10:45
