安华高科技公司（Avago Technologies）推出了四款光电耦合器新产品，主要用于使用 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）制造的功率半导体器件等的门极驱动。新产品的最大特点是最大传播延迟
2017-09-12 16:07
电子发烧友网为你提供基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-05 08:42
2022-11-25 08:31
本文阐述了下一代功率半导体（SiC、GaN）在丰田汽车批量的混合动力车应用的前景，主要针对作为车载电源的电力变换器上应用的效果明显：冷却系统简易、燃费指标（ km/L）优越、加之可高频驱动实现
2018-08-21 18:41
我刚毕业进入方正，当年我们的定位是SiGe，工号100以内的人曾经的邮箱后缀都是@sige.cn，好高大上，虽然后来还是顺应潮流走了Si工艺（现在已是6寸的佼佼者）。
2020-10-14 10:43
(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一
2017-06-16 10:37
(51, 51, 51) !important]隔离式栅极驱动器的要求已经开始变化，不同于以前的。对于SiC和GaN，宽栅极电压摆幅、快速上升/下降时间和超低传播延迟。ADuM4135隔离式栅极驱动器
2019-07-16 23:57
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20
GAN的数学推导和案例应用
2020-04-13 09:34
