如需了解价格货期等具体信息，欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言，留言会被吞，收不到留言。 PIC18F26K42-I/SS 产品概述 PIC18F26K42-I/SS
2025-02-10 20:27 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
以下是VBsemi公司的MOSFET产品05N50I-VB的详细信息：1. 产品简介： 05N50I-VB是一款单N沟道（Single-N-Channel）
2024-07-03 11:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP13N50I-VB 产品简介AP13N50I-VB是一款单N沟道MOSFET，封装形式为TO220F，采用平面结构技术。该器件适用于中高压应用，具有较高的漏源
2024-12-16 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介09N70I-A-VB 是一款单路 N 沟道 MOSFET，采用了平面工艺（Plannar Technology）。它具有650V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的门极-
2024-07-04 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：TK8S06K3L-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：- 极性：N沟道- 额定电压：60V- 最大连续漏极电流：18A- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：73m
2023-12-15 10:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 11N50I-VB TO220F 产品简介11N50I-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装技术。该器件具有 550V 的漏
2024-07-05 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
XC7K70T-2FBG484I具有高达478K逻辑单元，34Mb RAM，1920 DSP片，2845 GMAC/s DSP性能，32个收发器， 12.5Gb/s收发器速度， 800Gb/s串行
2022-09-09 11:07 深圳市泰凌微电子有限公司 企业号
09N50I-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（V
2024-07-04 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
：** PlannarAP02N60I-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有高达650V的漏极-源极电压承受能力和稳定的电性能特征。### 详
2024-12-13 11:43 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介330N02K-VB 是一款由 VBsemi 生产的双通道 N 型和 P 型 MOSFET，采用 SOP8 封装。该器件具有高漏源电压和低导通电阻，适用于低功率开关和电源管理
2024-11-06 13:46 微碧半导体VBsemi 企业号
