本文介绍了影响集成电路可靠性的Cu/low-k互连结构中的电迁移问题。
2025-03-13 14:50
Low-K材料是介电常数显著低于传统二氧化硅(SiO₂,k=3.9–4.2)的绝缘材料,主要用于芯片制造中的层间电介质(ILD)。其核心目标是通过降低金属互连线间的寄生电容,解决RC延迟(电阻-电容延迟)和信号串扰问题,从而提升芯片性能和集成度。
2025-03-27 10:12
检测方案已成功应用于 low-k 电介质沉积应用 ( 特别是氮化硅 Si3N4 ), 在减少颗粒污染的同时, 缩短了生产时间.
2023-06-21 10:03
指介电常数较低的材料。这种材料广泛运用于集成电路中,可以减少漏电电流、降低导线之间的电容效应,并减少集成电路的发热问题 ,在高频基板和高速电路设计中尤为重要,能够减少信号延迟,提高电路的响应速度。
2025-05-27 09:48
指介电常数较低的材料。这种材料广泛运用于集成电路中,可以减少漏电电流、降低导线之间的电容效应,并减少集成电路的发热问题 ,在高频基板和高速电路设计中尤为重要,能够减少信号延迟,提高电路的响应速度。
2025-04-29 10:27
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2022-09-08 10:16
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2021-10-23 14:20
笔者认为在STEM 教育视野下信息技术课程需要变革,基于Scratch整合了 20 多个案例,让学生的编程“跳”出计算机屏幕,令趣味编程走向趣味创造,让孩子能体验整合信息技术、工程、数学等多学科
2019-12-31 14:29
“System Level EOS Testing Method”可以翻译为: “系统级电性过应力测试方法”
2025-05-05 15:55
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2022-08-04 14:37 北汇信息POLELINK 企业号