{"error":{"root_cause":[{"type":"query_shard_exception","reason":"failed to create query: {\n \"regexp\" : {\n \"keyword\" : {\n \"value\" : \".*STV0903 pdf datasheet (Multi-s.*\",\n \"flags_value\" : 65535,\n \"max_determinized_states\" : 10000,\n \"boost\" : 1.0\n }\n }\n}","index_uuid":"SON-ziQURzKK3JljPlVlCQ","index":"recommend_keyword_search_v1"}],"type":"search_phase_execution_exception","reason":"all shards failed","phase":"query","grouped":true,"failed_shards":[{"shard":0,"index":"recommend_keyword_search_v1","node":"-Gn7X2aRSFmN2hMyaNEUCA","reason":{"type":"query_shard_exception","reason":"failed to create query: {\n \"regexp\" : {\n \"keyword\" : {\n \"value\" : \".*STV0903 pdf datasheet (Multi-s.*\",\n \"flags_value\" : 65535,\n \"max_determinized_states\" : 10000,\n \"boost\" : 1.0\n }\n }\n}","index_uuid":"SON-ziQURzKK3JljPlVlCQ","index":"recommend_keyword_search_v1","caused_by":{"type":"illegal_argument_exception","reason":"expected ')' at position 34"}}}]},"status":400}
### 产品简介**型号:AP0903GH-HF-VB**AP0903GH-HF-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽技术,具有适中的导通电阻和高电流处理能力。其封装形式为TO252
2024-12-16 14:18 微碧半导体VBsemi 企业号
参数表节选:的技术参数 KFD2-STV5-Ex1-1General specificationsSignal typeAnalog inputFunctional safety
2022-12-01 13:26 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
0903GM-VB是一款SOP8封装的单路N沟道MOSFET,具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS,±),以及1.7V的阈值电压(Vth)。其在VGS=4.5V时的导
2024-07-04 13:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP0903GM-VB 是一款高性能的单 N-沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,封装形式为 SOP8。它具有低导通电阻和优秀的开关特性,适合于需要高效能和可靠性
2024-12-16 14:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP0903GH-VB MOSFET 产品简介AP0903GH-VB 是一款高性能单 N-沟道 MOSFET,设计用于需要高效能管理的电子应用。采用 TO252 封装,具有优异的低 RDS
2024-12-16 14:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介AP0903GM-HF-VB 是一款由 VBsemi 生产的单个 N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装。该产品具有低漏源电压(VDS = 30V)和极低的导通电阻,适合
2024-12-16 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
--- 产品详情 ---深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。FRDM-FXS-MULTI-B 由于电子元器件价格因市场浮动,网站展示价格仅为参考价,不能作为
2022-07-15 16:36 深圳市港禾科技有限公司 企业号
**NP40N10PDF-VB****丝印:** VBL1104N **品牌:** VBsemi **参数:** TO263;N—Channel沟道, 100V;45A
2024-02-19 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP0903GYT-HF-VB 产品简介AP0903GYT-HF-VB 是一款低压单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。该器件设计用于低电压应用,具备30V的漏源电压(VDS
2024-12-16 14:32 微碧半导体VBsemi 企业号