**STP4953-VB 详细性能参数**- **型号**：STP4953-VB- **丝印**：VBA4338- **品牌**：VBsemi- **参数**： - 2个P—Channel
2024-04-10 11:05 微碧半导体VBsemi 企业号
的最大漏源电压（V_DS）为 650V，最大漏电流（I_D）为 12A，适用于各种功率控制和开关电源应用。采用 Plannar 技术制造，具有良好的耐压特性和可
2025-09-18 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi STP3407C-VB 晶体管参数说明：**- **型号：** STP3407C-VB- **丝印：** VB2355- **品牌：** VBsemi- **封装：** SOT23
2024-04-09 17:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### **STP6N60AFI-VB MOSFET 产品简介**STP6N60AFI-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 通道 MOSFET，专为高效的电力管理和开关控制应用设计。该
2025-09-18 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介（STP4NK50ZFP-VB）STP4NK50ZFP-VB 是一款高压单极 N 型通道 MOSFET，采用 TO220F 封装，具有高达 650V 的漏源电压承受能力，适用于
2025-09-18 15:12 微碧半导体VBsemi 企业号
STP30NF20 (VBM1208N)参数说明：N沟道，200V，35A，导通电阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，阈值电压3V，封装：TO220。应用简介：STP30NF20适用于高电压
2023-12-13 11:04 微碧半导体VBsemi 企业号
AD7911ARMZ 特性吞吐量：250 kSPS额定电压（VDD）：2.35 V至5.25 V低功耗： 4 mW（典型值，250 kSPS、3 V电源） 13.5 mW（典型值，250 kSPS
2024-03-25 11:29 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
VBsemi STP3401-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管，具有-30V电压、-5.6A电流，RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V、VGS=20V，阈值电压为-1V。该器件采用
2024-04-09 17:39 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：STP3407-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi封装：SOT23参数：- 沟道类型：P—Channel- 最大漏极电压：-30V- 最大漏极电流：-5.6A- 静态漏极-源极电阻
2024-04-09 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号
**STP4NB50FP-VB MOSFET - 产品简介**STP4NB50FP-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 通道功率 MOSFET，采用 Planar 技术，具有650V的漏源
2025-09-18 15:01 微碧半导体VBsemi 企业号
