• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • 如何解决STM32芯片Flash写保护的问题

    本文介绍了如何解决STM32芯片Flash写保护导致无法下载程序,无法在线调试的问题;如果您遇到相同的问题,希望本文可以带来一些帮助。

    2022-03-14 17:24

  • STM32无法连接JLink(Flash读写保护)解决方法

    对于其他的stm32芯片或者其他ARM芯片,其实解决方法都相通,主要就是先修改启动方式,再去更改flash或者ram中的程序。

    2023-05-05 12:24

  • 外置FLASH读写实验

    Flash,全名叫做Flash EEPROM Memory,即平时所说的“闪存”,它结合了ROM和RAM的长处,不仅可以反复擦除,还可以快速读取数据,STM32运行的程序其实就是存放在

    2023-03-01 14:56

  • DLL发生谐波锁定的原理

    举个简单的例子,假如一个250MHz的DLL,其正常锁定后的整个延时链(VCDL)的总延时为一个周期T,即4ns。但在某些特别情况下,VCDL可能延时2T,即8ns,这就发生了谐波锁定。这时候Loop虽然锁定在一个稳

    2023-03-23 14:25

  • 800Hz单音锁定锁定式火警电路图

    800Hz单音锁定锁定式火警电路图

    2009-06-10 08:57

  • stm32f103zet6如何识别flash大小

    的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法。考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,而STM32F103内部的Flash容量较大,而且ST的库函数中还提供了基本的

    2017-11-10 14:55

  • PLL锁定过程的两个步骤

    校准完成后,PLL的反馈操作使VCO锁定于正确的频率。锁定速度取决于非线性周跳行为。PLL总锁定时间包括两个部分:VCO频段校准时间和PLL周跳时间。VCO频段校准时间仅取决于PFD频率;PFD频率越高,

    2018-05-11 15:14

  • NAND Flash和NOR Flash的区别

    NAND Flash和NOR Flash是两种常见的闪存类型。

    2023-11-30 13:53

  • 详解PLL锁定时间精确测量

    当PLL参考时钟和PLL反馈时钟的频率和相位相匹配时,PLL则被称为是锁定状态。达到锁定状态所需的时间称为锁定时间,这是PLL设计最关键的参数之一。

    2018-03-14 15:17

  • 深入探讨FLASH被非法改写的问题

    问题描述: 某STM32客户反馈, 当STM32F407V芯片频繁的正常通断电的时候,FLASH 会被非法改写,出现各种各样的异常(整片被擦除、中断向量表被改写、写保护被清除等等)。

    2018-09-29 11:51