客户反馈在使用STM32F412的时候，擦除Sector 8~11发现时间过长，从而导致意外触发IWDG复位。原因是什么？怎么避免？怎么处理？
2019-01-29 11:53
NAND Flash的容量较大。整片Flash分为若干个块（Block），每个Block分为若干个页（Page）。在每个页中，除了数据区域，也包含若干“多余”的区域，用
2018-12-11 15:47
的一段区域。 需要注意的是，在对NOR FLASH进行读写数据时，需要参考对应的datasheet，例如这里选用的NOR FLASH读、写、擦除步骤如下： 通过上面的表格就知道进行相应操作每一步该做什么，可以转换为S
2018-06-30 09:49
Flash存储芯片的通讯方式以SPI居多，在实现flash读写时就是要实现SPI的通讯协议，与EEPROM不同的是，SPI在操作时是按照PAGE页进行整页擦除写入的，这
2019-12-02 17:21
Flash，全名叫做Flash EEPROM Memory，即平时所说的“闪存”，它结合了ROM和RAM的长处，不仅可以反复擦除，还可以快速读取数据，STM32运行的程
2023-03-01 14:56
问题描述： 某STM32客户反馈， 当STM32F407V芯片频繁的正常通断电的时候，FLASH 会被非法改写，出现各种各样的异常（整片被擦除、中断向量表被改写、写保护
2018-09-29 11:51
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行
2018-09-18 14:47
_COMPLETE; FLASH_Unlock（）;//解锁FLASH编程擦除控制器 // FLASH_ClearFlag（
2018-10-18 15:30
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行
2018-09-19 08:32
