本文简单介绍了几种半导体外延生长方式。
2024-10-18 14:21
由于GaN在高温生长时N的离解压很高，很难得到大尺寸的GaN单晶材料，因此，为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人员经过几十年的不断研究，并不断尝试利用不同的外延生长方法在Si
2023-06-10 09:43
影响外延片质量和性能的关键因素。为了克服这一问题，应力消除外延生长装置及外延生长方法应运而生。本文将详细介绍这种装置和方法的工作原理、技术特点以及应用前景。 应力
2025-02-08 09:45 广州万智光学技术有限公司 企业号
全局区（静态区）（ statIc）：全局变量和静态变量的存储是放在一块的，初始化的全局变量和静态变量在一块区域，未初始化的全局变量和未初始化的静态变量在相邻的另一块区域，该区域在程序结束后由操作系统释放
2022-10-08 15:43
人工智能（AI）等新兴技术引领的技术变革正在重塑企业经营增长方式。
2019-11-18 15:57
函数的局部变量，都是存放在“栈”里面，栈的英文是：STACK.STACK的大小，我们可以在stm32的启动文件里面设置，以战舰stm32开发板为例，在startup_
2017-11-28 15:30
数据结构中，堆（heap）与栈（stack）是两个常见的数据结构，它们的存在都是为了优化内存，提高使用效率，各有特点，理解二者的定义、用法与区别，能够利用堆与栈解决很多实际问题。
2023-02-15 15:08
净利润连续亏损3年之后，盘活资产、提升盈利能力对于长方集团来说，显得尤为迫切。 2021年2月7日，长方集团签署了《股权转让框架协议书》。 根据《股权转让框架协议书》显示，长方集团拟将持有的惠州市
2021-05-25 08:59
毕竟堆栈也就是内存，自然就可以通过堆栈的分配过程取出所分配的内存地址来比较判断，而C语言可以方便的访问内存，也就比较容易判断当前处理器中堆栈指针的增长方向了。
2022-07-28 11:23
HVPE（氢化物气相外延法）与上述两种方法的区别还是在于镓源，此方法通常以镓的氯化物GaCl3为镓源，NH3为氮源，在衬底上以1000 ℃左右的温度生长出GaN晶体。
2023-06-11 11:11
