至关重要。 UJ4N075004L8S 的导通电阻 RDS(on) 低至 4mΩ，是业内采用标准分立封装的 650V 至 750
2024-06-12 14:04
Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08
型号:HC3400M 参数：30V 5.8A 类型：N沟道场效应管 内阻27mR(Vgs=10V) 低结电容635pF 封装
2022-03-23 11:54
型号:HC3400M 参数：30V 5.8A 类型：N沟道场效应管 内阻27mR(Vgs=10V) 低结电容635pF 封装
2021-09-27 14:20
封装的形式、类别，基底和外壳、引线的材料，强调其保护芯片、增强电热性能、方便整机装配的重要作用。6n137光耦的封装有DIP双列直插封装、贴片SMD
2017-08-26 15:55
The M4N25 device consists of a gallium arsenide infrared emitting diodeoptically coupled to a silicon NPN phototransistor detector.•
2010-06-11 12:25
本文介绍STM32F103封装方式和STM32F103管脚功能的配置。
2016-08-03 17:44
N3856/N3856V组成的电源电路
2009-10-16 11:07
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo 将展示一种全新的表面贴装 TO- 无引线（TOLL）封装技术，用于其高性能 5.4（mΩ）750V SiC FETs。这是 TOLL
2023-04-11 15:55
