村田高频电感LQG15HN33NG02D_0402 33nH 300mA详细参数:L尺寸1.0 ±0.05mmW尺寸0.5 ±0.05mmT尺寸0.5 ±0.05mm尺寸代码 in inch (mm
2024-09-28 14:55 谷京科技代理村田TDK贴片电容 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术,封装为TO252。该MOSFET具有低导
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
村田贴片电感LQG15HN39NG02D_0402 39nH 250mA详细参数:L尺寸1.0 ±0.05mmW尺寸0.5 ±0.05mmT尺寸0.5 ±0.05mm尺寸代码 in inch (mm
2024-09-28 14:13 谷京科技代理村田TDK贴片电容 企业号
### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中,具有优异的功率开关特性和低导通电阻。采用先进的沟槽(Trench
2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4905NG-VB 产品简介4905NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它专为需要高功率处理和低导通电阻的应用而设计。通过沟槽(Trench)技术制造
2024-11-12 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5805NG-VB 产品简介5805NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,具有低导通电阻和高电流承受能力。其设计适合于需要高效能和稳定性能的应用场
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的性能特征
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
描述 小功率STM32F427xx和STM32F429xx器件基于高性能Arm Cortex -M4 32位RISC内核,工作频率高达180 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元
2023-09-21 10:51 深圳芯领航科技有限公司 企业号