的一段区域。 需要注意的是,在对NOR FLASH进行读写数据时,需要参考对应的datasheet,例如这里选用的NOR FLASH读、写、擦除步骤如下: 通过上面的表
2018-06-30 09:49
客户反馈在使用STM32F412的时候,擦除Sector 8~11发现时间过长,从而导致意外触发IWDG复位。原因是什么?怎么避免?怎么处理?
2019-01-29 11:53
调试时在代码中对Flash进行写操作时(比如Bootloader对Code Flash进行升级操作,Application对Data Flash进行
2025-04-01 09:18
_COMPLETE; FLASH_Unlock();//解锁FLASH编程擦除控制器 // FLASH_ClearFlag(
2018-10-18 15:30
“写flash,要不要加个判断?”这是我一个朋友的提问。
2023-11-21 10:07
本文阐述了一种针对TMS320VC5509A DSP 简单有效的Flash 烧写方法, 并提出了程序自举引导的实现方法。可以有效地解决程序代码存储问题和DSP 脱机自举问题.
2011-09-16 14:43
通过一系列的介绍和实验验证,我们看到了TRIM的价值和实现原理。在TRIM的帮助下,NVMe SSD的GC等操作效率更高,进而达到降低写放大,提高产品性能和寿命的效果。
2019-04-28 11:39
可随时擦除的FLASH ROM,但依然沿用叫烧写了,这样也方便特指PC向MCU写入程序。免得和单片机工作时串口的上传和下次数据相混淆。 开发板烧写 开发板没有BootLoader的烧
2017-10-14 10:47
Nor Flash的接口和RAM完全相同,可以随机访问任意地址的数据,在其上进行读操作的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,另外,Nor Flash的容量一般比较小
2018-10-07 15:39