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型号：XC4VFX60-<b class='flag-s-7'>11FFG672C</b> 品牌：

XC4VFX60-11FFG672C 产品概述产品描述XC4VFX60-11FFG672C 是 Xilinx 的一款 Virtex-4 系列 FPGA，采用 FF672 封装。该器件专为高性能计算

2024-11-11 15:14 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：PMT-<b class='flag-s-7'>C</b> 品牌：

医用手套抗穿刺性测试仪产品简介PMT-C穿刺力测试仪是医药包装系列专业用于胶塞穿刺力检测的仪器。亦可进行薄膜、复合膜、人造皮肤、组合盖、口服液盖的穿刺力测试。参数设置满足国标和医药标准的相关要求

2024-01-30 14:17 普创科技密封试验仪 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11N60C</b>3-VB 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的11N60C3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有高达650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极

2024-07-05 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：XP162A<b class='flag-s-7'>11C</b>0PR-VB 品牌：微碧

应用。### 参数说明：- **型号：** XP162A11C0PR-VB- **沟道类型：** P-Channel- **耐压：** -30V- **最大承受电流：**

2024-06-17 16:15 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：100UF25<b class='flag-s-7'>V</b> 4*<b class='flag-s-7'>11</b> 品牌：合粤

固态铝电解电容100UF25V 4*11封装尺寸品名：固态铝电解电容器系列：PC容量：100uF耐压：25V体积：4*11mm寿命：2000小时温度范围：-50℃~+1

2023-09-12 09:18 东莞市合粤电子 企业号

型号：SVS<b class='flag-s-7'>11</b>N65DD2 品牌：

SVS11N65DD2 650V11A超结大功率mos器件，提供SVS11N65DD2关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>

2022-08-30 16:37 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11N65C</b>3-VB TO220F 品牌：微碧

### 11N65C3-VB TO220F 产品简介**产品概述**：11N65C3-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用Plannar技术制造，具有低导通电阻和高电压承受能力。这款

2024-07-05 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11N60C</b>2-VB TO247 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的11N60C2-VB TO247是一款单N沟道MOSFET，采用TO247封装，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±

2024-07-05 14:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SVSP<b class='flag-s-7'>11</b>N65DD2 品牌：

供应超晶结mos管SVSP11N65DD2 11A,650V ，提供SVSP11N65DD2士兰微mos管选型pdf关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰

2022-11-02 15:16 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11N80C</b>3-VB TO247 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的11N80C3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有高达800V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件

2024-07-05 14:50 微碧半导体VBsemi 企业号