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  • 自对准双重图案化技术的优势与步骤

    在芯片制造中,光刻技术在硅片上刻出纳米级的电路图案。然而,当制程进入7纳米以下,传统光刻的分辨率已逼近物理极限。这时, 自对准双重图案化(SADP) 的技术登上舞台, 氧化物间隔层切割掩膜 ,确保数十亿晶体管的精确成型。

    2025-05-28 16:45

  • 引入 FinFET晶体后的多重图案拆分布局和布线

    随着高级工艺的演进,电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时,他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分给设计实施过程带来了许多重大布局限制,另外为降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶体管使之更加复杂,因为它对摆设和布线流程带来了更多的限制。

    2018-01-28 13:40

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    2018-01-17 16:21

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    2018-01-17 15:56

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    2018-01-17 15:39

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    2009-02-15 00:10