### 094N03S-VB 产品简介：094N03S-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装为 SOP8。该器件具有 30V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的栅极-源极电压（VGS
2024-07-04 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号
MOSFET封装在SOP8中，适用于需要高效率和高可靠性的各种电源管理应用。**产品特点**：- **中等电压承受能力**：VDS为30V，适用于中等电压应用。-
2024-07-05 14:14 微碧半导体VBsemi 企业号
的电源、DC-DC转换器、电机控制、LED照明等应用。**详细参数说明：**- **型号：** 052N03S-VB- **封装：** SOP8- **配置：** 单
2024-07-02 16:35 微碧半导体VBsemi 企业号
090N03LS-VB是一款SOP8封装的单路N沟道MOSFET。它的主要特性包括30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，正负值），1.7V的阈值电压（Vth），在VGS
2024-07-04 13:56 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品型号：** FDS86242-VB**丝印：** VBA1158N**品牌：** VBsemi**参数：**- 封装：SOP8- 沟道类型：N—Channel- 额定电压：150V-
2024-02-19 17:30 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品型号：** IRF7101TRPBF-VB**丝印：** VBA3222**品牌：** VBsemi**参数：**- 封装：SOP8- 沟道类型：2个N—Channel- 额定电压：20V-
2024-02-19 15:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：1203M-VB SOP8是一款单N沟道MOSFET，具有30V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±V）、1.7V的阈值电压（Vth）、11mΩ@VGS
2024-07-05 15:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SJ469-VB MOSFET 产品简介**产品描述：**2SJ469-VB 是一款单通道 P 型 MOSFET，专为低功率电子应用而设计。该 MOSFET 封装为 SOP8，具有优异的导
2024-07-15 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 104N03S-VB 产品简介：104N03S-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装为 SOP8。该器件具有 30V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的栅极-源极电压（VGS
2024-07-04 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号
；RDS(ON)=15mΩ / 42mΩ@VGS=10V, VGS=20V；Vth=±1.65V **封装：** SOP8 **详细参数说明
2024-02-19 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
