众所周知，SiC材料的特性和优势已被大规模地证实，它被认为是用于高电压、高频率的功率器件的理想半导体材料。SiC器件的可靠性是开发工程师所关心的重点之一，因为在出现基于Si材料的
2017-12-21 09:07
两个主要类型的功率晶体管：MOSFET和IGBT非常流行，它们在电源系统设计中已经使用了多年，因此，很容易假定它们之间的差异一直保持不变。本文通过解释最新一代
2016-11-04 20:43
Field-Effect Transistor）的控制性能，又具有异质结的管子功率特性。IGBT也是一个开关器件，可以在高电压和高电流条件下工作，并且被广泛应用于各种电力电子设备
2024-02-01 13:59
IGBT及MOSFET隔离驱动为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时，驱动电路的设
2021-02-08 17:38
GaN 功率器件的卓越电气特性正在逐步淘汰复杂工业电机控制应用中的传统 MOSFET 和 IGBT。
2022-08-12 15:31
随着新能源技术的快速发展，对大功率半导体器件的需求日益增加。特别是在可再生能源领域，需要能够承载巨大电流的功率器件。然而，由于生产成本、技术难度以及市场需求等因素的限制
2024-08-01 15:27
功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道
2024-10-30 15:24
