瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体（IGBT）系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列。新款IG
2012-07-31 11:34
380mΩSuper-junctionMOSFET3、晶圆(Wafer-KGD)-Nmos：650V7A650mΩSuper-junctionPowerMOSFET4、晶圆(Wafer-K
2022-04-24 11:34 深圳市致知行科技有限公司 企业号
为满足电动汽车市场的需求，英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 MOSFET CFD7A系列。这一产品经过专门优化，可以满足电动汽车应用 （如车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器和辅助电源）的要求。
2020-05-31 09:15
JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块，采用沟槽栅场终止技术IGBT7芯片，带热敏电阻（NTC）和可选 PressFIT压接针脚技
2025-01-16 14:16
新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。
2024-08-15 16:34
4月2日，荣耀再次召开新品发布会，正式推出了荣耀畅玩7A千元全面屏手机，这与3月12日发布的荣耀畅玩7C，发布时间仅间隔了20天，并且这两款手机在命名、定位、价格上都非常接近。那么，荣耀畅玩7A和荣耀畅玩
2019-06-26 10:56
圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06
MAX1917应用电路图(输入2.5V 输出1.25V 7A)
2008-07-25 00:54
UC3842组成的220V输入5V 7A输出电源电路
2009-10-16 14:43
