PI的SIC1182K和汽车级SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是单通道SiC MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。 SCALE-2门极驱动核和其他SCALE-iDr
2020-08-13 15:31
SIC1182K可在125°C结温下提供8 A驱动，因此可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的SiC－MOSFET逆变器设计。这样将提高系统效率，客户只需完成一个设计即可覆盖整个产品阵容中不同额定功率的逆变器。开关频率高达150 kHz，可支持多种应
2019-03-27 14:27
芯片电路作为核心电路部分， 运算电路采用美国富迪公司的FM1182 芯片， 该芯片具有低功耗、高效率的特点， 适合本电路的便携型设计的要求。
2011-11-28 13:54
SiC,SiC是什么意思 SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C
2010-03-04 13:25
SIC1182KQ (1200 V)和SIC1181KQ (750 V)门极驱动器IC集成了PI革命性的FluxLink通信技术，可提供优异的绝缘能力，并且实现安全可靠、高性价比的300 kW以下逆变器设计。
2020-05-19 11:00
SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC SBD（碳化硅肖特基势垒二极管）是两种基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，它们在电力电子领域具有广泛的应用。尽管它们都属于
2024-09-10 15:19
为了提高语音信号的质量， 降低在语音拾取过程中背景噪声的干扰， 设计了以FM1182 为核心芯片的系统， 该系统使用了双麦克风拾音技术。
2011-11-28 13:46
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46
SiC器件的封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层，且具有高热导率和低热膨胀系数，从而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到衬底上。SiN是一种极具吸引力的衬底，因为它具有合理的热导率（60W/m-K）和低热膨胀系数（2.7
2023-02-16 14:05
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速
2023-02-10 09:41
