GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有显着差异。
2021-11-17 09:06
基于SiC器件的电力电子变流器研究
2023-06-20 09:36
DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围，提供非常高的测量精度和丰富的连接方式，是GaN 和 SiC 器件测试的理想探头。
2022-11-03 17:47
采用 SiC 电子元件的 电力电子 设备越来越多地用于工业、家用和汽车电源中最苛刻的开关操作。 电路的实现显然不是随机执行的，而是遵循精确的计算路线和数学公式，这些公式考虑了许多理论和实际因素
2022-08-04 09:37
电动车 (EV) 的发货量正在迅速增长，预计 21 世纪 20 年代还将加速发展。主要汽车制造商都已经推出了电动车或已制定了推出计划，它们还积极与伙伴合作，研究最佳的动力电子学方案，从而尽量延长单次充电行驶里程和降低成本。
2020-02-22 10:44
本SiC FET用户指南介绍了使用含快速开关SiC器件的RC缓冲电路的实用解决方案和指南。该解决方案经过实验性双脉冲测试（DPT）结果验证。
2022-05-05 10:43
碳化硅 （SiC） 是一种下一代材料，计划显着降低功率损耗并实现更高的功率密度、电压、温度和频率，同时减少散热。高温可操作性降低了冷却系统的复杂性，从而降低了电源系统的整体架构。
2022-08-16 17:14
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。
2018-07-15 11:05
经研究者的努力，以SiC为代表的宽禁带半导体材料逐渐展示出及其优异的性能。SiC功率器件耐高温、抗辐射，具有较高的击穿电压和工作频率，适于在恶劣条件下工作。与传统Si功率器件
2018-01-21 09:43
