不具备足够的坚固性。当前对大功率、高温器件封装技术的大量需求引起了对这一领域的研发热潮。 SiC器件的
2018-09-11 16:12
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型
2019-05-07 06:21
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制
2019-07-23 04:20
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元
2018-11-29 14:35
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个
2019-05-06 09:15
二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车
2019-05-07 06:21
系统集成( system integration)通常是指将软件、硬件与通信技术组合起来为用户解决信息处理问题的业务，集成的各个分离部分原本就是一个个独立的系统，集成后
2020-02-28 13:34
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅
2023-02-22 16:06
可以通过在SiC功率器件上运行HTGB（高温栅极偏压）和HTRB（高温反向偏压）应力测试来评估性能。Littelfuse在温度为175°C的1200V，80mΩSiCM
2019-07-30 15:15
`①未来发展导向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半导体”已逐渐步
2017-07-22 14:12
