SiC功率器件的封装技术要点 具有成本效益的大功率高温半导体器件是
2009-11-19 08:48
二十多年来，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作为一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注。
2023-01-17 10:31
使用SiC的新功率元器件技术
2018-06-26 17:56
碳化硅（SiC）被认为是未来功率器件的革命性半导体材料;许多SiC功率器件
2022-11-06 18:50
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）功率器件因其宽禁带、耐高压、高温、低导通电阻和快速开关等优点备受瞩目。然而，如何充分发挥碳化硅器件的性能却给封装
2024-01-26 16:21
近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了
2022-11-24 10:05
本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与SiC
2025-05-15 15:28
浅析CDMA关键技术 CDMA关键技术是3G的基础。本文从多址技术、RAKE接收机、多用户检测、功率控制、软容量、软切换、地址码的选择、
2009-08-27 23:20
和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同
2024-03-07 14:28
碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、动态性能和可靠性的显著优势电子和电气系统。回顾了SiC功率
2022-11-11 11:06
