1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-
2019-05-07 06:21
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-
2019-03-14 06:20
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-
2019-04-22 06:20
。SiC半导体的功率元器件SiC-SBD（肖特基势垒二极管）和SiC-MOSFET已于2010年＊1量产出货，SiC的MOSFET和SBD的“全SiC”
2018-11-29 14:39
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PN
2018-11-29 14:33
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15
SiC-SBD的特征，下面将介绍一些其典型应用。主要是在电源系统应用中，将成为代替以往的Si二极管，解决当今的重要课题——系统效率提高与小型化的关键元器件之一。＜应用例＞PFC（功率因数改善）电路电机驱动器电路
2018-12-04 10:26
的EMI；具有正温度系数的导通电压，有利于器件并联使用过程中的均流，提高并联使用的可靠性。通过在产品设计中合理选择SiC SBD，可以提高产品性能，降低产品的综合成本。 作为国内功率半导体行业的龙头企业
2023-10-07 10:12
进行半导体元器件的评估时，电气/机械方面的规格和性能当然是首先要考虑的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以处理较大功率为前提的，更需要具备充分的可靠性。S
2018-11-30 11:50
