1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-
2019-05-07 06:21
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-
2019-03-14 06:20
1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。 因此，如果用SiC
2023-02-07 16:46
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-
2019-04-22 06:20
。SiC半导体的功率元器件SiC-SBD（肖特基势垒二极管）和SiC-MOSFET已于2010年＊1量产出货，SiC的MOSFET和SBD的“全SiC”
2018-11-29 14:39
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PN
2018-11-29 14:33
，肖特基势垒二极管（SBD）是功率转换系统中 的核心组件之一，而实现具有低开启电压和超高耐压的GaN基SBD是目前所追求的主要目标。为此，依托先进的半导体TCAD 仿真平台，我司技术团队自主设计并成功制备了一种新
2023-02-16 15:13
SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC SBD（碳化硅肖特基势垒二极管）是两种基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，它们在电力电子领域具有广泛的应用。尽管它们都属于
2024-09-10 15:19
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15
