### 60N32N3LL-VB MOSFET 产品简介60N32N3LL-VB是一款半桥N+N沟道功率MOSFET,采用DFN8(5X6)-C封装。由VBsemi采用
2024-11-15 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号:240N12N-VB**VBsemi的240N12N-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用了Trench技术制造。它具有100V的
2024-07-10 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介我们从文件中随机选择一个型号 `042N04N-VB` 作为示例:#### 产品简介`042N04N-VB` 是一种高性能的单N沟道MOSFET,采用DFN8 (
2024-07-02 15:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、900N20N-VB型号的产品简介详细900N20N-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用Trench技术制造,封装为DFN8(
2024-11-22 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### 520N15N-VB 产品简介520N15N-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 DFN8(3X3) 封装。它具有中等漏
2024-11-14 11:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 80N3LLH6-VB DFN8(5X6) MOSFET 产品简介80N3LLH6-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 Trench 技术
2024-11-21 15:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 900N15N-VB MOSFET 产品简介900N15N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装,适合于紧凑空间的电子设备和电路板。它具有
2024-11-22 17:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### 240N12NS3-VB DFN8(5X6) 产品简介240N12NS3-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用了沟槽技术
2024-07-10 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号
)。采用沟槽工艺制造,具有低漏阻和高电流特性,适用于各种领域和模块的高性能应用。### 086P3N-VB 详细参数说明- **封装:** DFN8(3X3)- *
2024-07-03 17:19 微碧半导体VBsemi 企业号
### 900N20NS3-VB MOSFET 产品简介900N20NS3-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 Trench 技术制造,封装为 DFN8 (5
2024-11-22 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号