的Trench技术,AP9435S-VB能够提供高效率和可靠性。### AP9435S-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO263- **配置**:单P沟道-
2024-12-23 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号
具有高达650V的漏极-源极电压承受能力和适中的导通电阻,适合于需要处理高压和中等电流的应用场合。### 4750S-VB MOSFET 详细参数说明| 参数 &
2024-11-11 16:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**76639S-VB** 是一款由 VBsemi 提供的单通道 N 型 MOSFET。它采用 TO-263 封装,具有出色的导通性能和高电流处理能力。该 MOSFET 设计用于
2024-11-20 16:28 微碧半导体VBsemi 企业号
STU449S-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道MOSFET,具有以下参数:- 最大耐压:-40V- 最大漏极电流:-65A- 静态漏极-源极电阻:10mΩ(在VGS=10V
2024-06-17 13:40 微碧半导体VBsemi 企业号
合。AP9578S-VB 采用了先进的Trench技术,提供了优良的电气性能和长久的稳定性。### 详细的参数说明- **封装类型**: TO263- **配置**:
2024-12-25 15:12 微碧半导体VBsemi 企业号
的电流能力,适用于需要负电压控制和中功率功率开关和控制应用。### AP9585S-VB 详细参数说明- **封装形式**: TO263- **配置**: 单P沟道
2024-12-25 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号