了Trench技术,具有低导通电阻和优秀的开关特性,能够在高频率和高效率要求下工作稳定。### 76139S-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**:TO
2024-11-20 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号
了Trench技术,具有低导通电阻和优秀的开关特性,能够在高频率和高效率要求下工作稳定。### 76432S-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**:TO
2024-11-20 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
了Trench工艺,具有低导通电阻和良好的开关特性,适合要求高效能量转换和快速开关的场合。### 75329S-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**:TO2
2024-11-19 14:15 微碧半导体VBsemi 企业号
),以及13A的漏极电流(ID)。4172S-VB采用沟槽技术,提供高性能和可靠性。### 二、4172S-VB 详细参数说明| 参数
2024-11-08 11:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介**76445S-VB TO263 MOSFET**76445S-VB TO263是一款单通道N沟道MOSFET,采用了Trench技术,具有极低的导通电阻和高电流承载能力
2024-11-20 16:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介**75333S-VB TO263 MOSFET**75333S-VB TO263是一款单通道N沟道MOSFET,采用了Trench技术,设计用于中等电流和中等电压应用。具有低
2024-11-19 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介**76129S-VB TO263 MOSFET**76129S-VB TO263是一款单通道N沟道MOSFET,采用了Trench技术,具有低导通电阻和高电流特性,适用于需要
2024-11-20 15:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号:2504S-VB**VBsemi的2504S-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了Trench技术。该器件具有高耐压、低导通电阻等特点,适用于各种中功率电源电子应用场
2024-07-10 16:07 微碧半导体VBsemi 企业号