### 产品简介AP4513GOD-VB是一款双N+P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(Dual N+P-Channel MOSFET),采用DIP8封装。它结合了N沟
2024-12-19 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4513GOD-VB是一款双通道N型和P型MOSFET,采用先进的Trench技术设计,封装为DIP8。它具有优异的性能特征,适用于需要高效能和可靠性的电子应用。### 详细参数
2024-11-11 15:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9912J-VB MOSFET 产品简介9912J-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,封装为TO251。具有优秀的导通特性和低导通电阻,适用于需要高效能转换和电源
2024-11-26 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
较高功率密度和良好热管理的电路设计。### 详细参数说明- **型号**:AP02N40J-HF-VB- **封装形式**:TO251- **配置**:单N沟道-
2024-12-13 11:33 微碧半导体VBsemi 企业号
,适合于要求较高耐压和适中电流的电源管理和开关电路中使用。### 详细参数说明- **型号**:AP03N70J-HF-VB- **封装形式**:TO251- **配置
2024-12-13 13:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP01N60J-VB 产品简介**型号:** AP01N60J-VB **封装:** TO251 **配置:** 单N沟道MOSFET **技术
2024-12-13 11:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介9960J-VB 是一款TO251封装的单通道N沟道MOSFET,采用Trench技术。它具有低导通电阻和高漏极电流能力,适用于需要高效能和可靠性的功率开关和电源管理
2024-11-26 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号
9915J-VB是一款单N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术设计,具有低导通电阻和高电流承载能力,适合于需要高效能和可靠性的功率管理和开关应用。### 二
2024-11-26 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi EMF30N02J-VB 产品详细参数说明与应用简介****参数说明:**- **型号:** EMF30N02J-VB- **丝印:** VB1240- **品牌
2024-01-03 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号
负载的功率开关和电源管理应用。### AP9912J-VB 详细参数说明- **封装类型**: TO251- **配置**: 单N沟道- **漏源电压 (VDS)*
2024-12-26 14:20 微碧半导体VBsemi 企业号