型号:RSS100P03-TB-VB丝印:VBA2311品牌:VBsemi参数:- P—Channel沟道- 额定电压:-30V- 额定电流:-11A- RDS(ON):10mΩ @ VGS=10V
2024-04-03 15:31 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: RSS095N05-TB-VB丝印: VBA1410品牌: VBsemi参数:- N-Channel沟道- 额定电压: 40V- 最大电流: 10A- 漏极-源极电阻 (RDS
2024-04-03 15:30 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:RSS100N03TB-VB丝印:VBA1311品牌:VBsemi参数:- N沟道- 最大耐压:30V- 最大漏电流:12A- 静态导通电阻(RDS(ON)):12mΩ @ 10V, 15m
2023-12-19 10:36 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi RSS085N05-TB-VB****产品参数:**- 类型: N—Channel沟道- 额定电压: 40V- 额定电流: 10A- 导通电阻: RDS(ON) = 14m
2024-04-03 15:28 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi产品: RSS085N05TB-VB- **丝印:** VBA1410- **品牌:** VBsemi- **参数:** - N—Channel沟道 - 额定电压
2024-04-03 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi N-沟道MOSFET RSS070N05TB1-VB 具有40V的电压额定值,10A的电流承受能力,以及在VGS=10V和VGS=20V时的低RDS(ON)为14mΩ。该器件采用
2024-04-03 15:25 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi RSS090P03-TB-VB MOSFET 参数:- 封装:SOP8- 沟道类型:P—Channel- 最大电压:-30V- 最大电流:-11A- RDS(ON):10m
2024-01-03 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号
2022-06-15 14:42 深圳市鑫扬泽电子有限公司 企业号