电子发烧友

型号：BF-JSK-<b class='flag-s-7'>03H-S</b>1/T 品牌：贝福/IBF

BF-JSK-03H-S1/TBF-JSK-03H-S1/TBF-JSK-03H-S1/TBF-JSK-03H-S1/TBF-JSK-

2023-04-07 18:03 誉诚实业 企业号

型号：104N<b class='flag-s-7'>03S</b>-VB 品牌：微碧

### 104N03S-VB 产品简介：104N03S-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装为 SOP8。该器件具有 30V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的栅极-源极电压（VGS

2024-07-04 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>RJP</b>020N06T100-VB 品牌：微碧

RJP020N06T100 (VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。应用简介

2023-12-08 16:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：ZXMD<b class='flag-s-7'>65P03</b>N8TC-VB 品牌：微碧

产品型号：ZXMD65P03N8TC-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：2个P型沟道- 工作电压：-30V- 最大电流：-7A- 开态电阻：35mΩ（在VGS=10V

2024-04-12 11:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：X4C30K1-<b class='flag-s-7'>03S</b> 品牌：

TTM Technologies 的 X4C30K1-03S 是一款 90 度混合耦合器，频率为 2.5 至 3.8 GHz，平均功率 10 W，插入损耗 0.25 dB，隔离度 20 dB，耦合

2023-08-10 16:39 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：AOTF25<b class='flag-s-7'>S65</b>-VB 品牌：微碧

### AOTF25S65-VB 产品简介**型号：** AOTF25S65-VB  **封装：** TO220F  **配置：** 单N沟道MOSFET  **技术

2024-12-12 17:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SSF<b class='flag-s-7'>65R650S</b>2 品牌：

SSF65R650S2场效应管参数• Multi-Epi process SJ-FET• 700V @TJ = 150 ℃• Typ. RDS(on) = 0.55Ω• Ultra Low

2022-04-25 11:21 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：BSO300N<b class='flag-s-7'>03S</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介**型号：BSO300N03S-VB**BSO300N03S-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用SOP8封装。这款MOSFET利用先进的Trench技术制造，具有较低

2025-01-09 14:22 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AOTF7<b class='flag-s-7'>S65</b>-VB 品牌：微碧

### AOTF7S65-VB 产品简介**型号：** AOTF7S65-VB  **封装：** TO220F  **配置：** 单N沟道MOSFET  **技术

2024-12-13 10:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AOB15<b class='flag-s-7'>S65</b>-VB 品牌：微碧

### 一、AOB15S65L-VB 产品简介AOB15S65L-VB是一款单N沟道增强型MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，适用于高压功率开关和电源控制应用。该器件封装为TO263

2024-12-05 14:35 微碧半导体VBsemi 企业号