ADRV-DPD1 AD9375 无线电参考设计Analog Devices Inc. ADRV-DPD1 AD9375 小型蜂窝无线电参考设计提供了带 SERDES 接口的小型蜂窝无线电所需的所有
2024-09-09 09:49 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介AP4502M-VB是一款双N+P沟道MOSFET，采用先进的Trench技术制造，具有低导通电阻和高效的功率管理特性。其紧凑的SOP8封装设计使其非常适合于需要高性能和节省空间
2024-12-19 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号
RJK0636JPD-VB 是一款 N 沟道 MOSFET，由 VBsemi 公司生产。以下是关于该产品的详细信息：**产品简介：**RJK0636JPD-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET
2024-06-12 16:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、AP4502GM-VB产品简介AP4502GM-VB是一款高性能的双N+P沟道MOSFET，采用SOP8封装，旨在满足现代电子设备中对功率管理和开关控制的需求。该器件结合了先进
2024-12-19 15:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介AP4502AGM-VB 是一款双N+P沟道MOSFET，采用SOP8封装。该产品集成了N沟道和P沟道MOSFET，适用于需要同时控制正负电压的电路设计，能够在广泛的应用中提
2024-12-19 15:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP4502AGM-HF-VB 产品简介AP4502AGM-HF-VB 是一款高性能的双通道 N+P-Channel MOSFET，采用 SOP8 封装，专为需要高效能和可靠性的电路设计而
2024-12-19 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：RJK0632JPD-VB是VBsemi推出的N沟道场效应晶体管产品。该产品具有60V耐压、45A电流承受能力，并在VGS=10V时具有24mΩ的导通电阻。封装采用TO252
2024-06-12 16:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介RJK0636JPD-00-J3-VB是VBsemi推出的N沟道场效应管产品。具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流承受能力。该器件的RDS(ON)参数为24m
2024-06-12 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介RJK0632JPD-00-VB是VBsemi推出的N沟道MOSFET，具有60V耐压和45A电流承受能力。其封装为TO252，丝印为VBE1638。### 详细参数说明- 耐压
2024-06-12 16:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AM4502AC-T1-PF-VB 是一款由 VBsemi 生产的双 N+P-沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装。它结合了 N-沟道和 P-沟道 MOSFET 的特性，适用于
2024-11-29 17:11 微碧半导体VBsemi 企业号
