Marki Microwave 的 MDPX-0609 是频率 f1 DC 至 6 GHz、频率 f2 9 至 26.5 GHz、功率 30 dBm
2023-05-11 16:17 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 产品简介3N0609-VB 是一款由 VBsemi 生产的单 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-263 封装。该器件具有 60V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS
2024-11-06 16:26 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号:RJE0607JSP-VB 丝印:VBA4658 品牌:VBsemi 参数:2个P-Channel沟道,工作电压范围:-60V,最大电流:-5.3A,导
2024-04-03 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号:4N0609-VB**- **封装类型:TO252**- **配置:单N沟道**- **漏源电压 (VDS):60V**- **栅源电压 (VGS
2024-11-13 14:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4N0609-VB TO220 MOSFET 产品简介4N0609-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO220封装。该器件具备60V的漏极电压(VDS)和±20
2024-11-13 14:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4N0609-VB TO263 MOSFET 产品简介4N0609-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO263 封装。它具有优秀的性能特征,包括低
2024-11-13 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号
因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准金属热蒸镀设备 Metal Thermal热蒸发是物理气相沉积 PVD 中最常用方法, 也是
2022-11-04 13:20 伯东企业(上海)有限公司 企业号
优异的电气性能和可靠性。### 详细参数说明- **封装类型**:TO263- **配置**:单N沟道- **漏源极电压 (VDS)**:60V- **栅源极电压
2024-07-11 14:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**3N0609-VB**是一款由VBsemi生产的单N沟道MOSFET,采用TO252封装。该器件具有低漏极电压和低导通电阻的特点,适用于高电流、低压降的应用场
2024-11-06 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi STD60NF06T4&60V-VB 产品详细参数说明:**- **丝印标识:** VBE1615- **品牌:** VBsemi- **封装:** TO252- **通道类型
2024-02-19 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号