LDMOS L DMOS (横向扩散金属氧化物半导体) 结构见图。 在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。 与晶体
2020-05-24 01:19
的抑制，尤其值得注意的是TVS管的穩態平均功率是否在安全範圍之內。降額使用 作為半導體器件的TVS管，要注意環境溫度升高時的降額使用問題。特別要注意TVS管的引線長短，
2013-12-03 13:08
半導體放電管是基於晶閘管原理和結構的一種兩端負阻器件。可以吸收突波，抑制過高電壓，達到保護易損組件的目的。該 器件是在矽單晶片兩面同時摻雜同種雜質而形成。簡單的結構如圖
2014-03-13 10:32
和代工厂希望能够保持利润。“今天，只有极少的RF SOI器件采用300mm晶圆生产，”Ng说。“这种情况的出现有很多原因，包括300mm RF SOI衬底的成本/可用性
2017-07-13 09:14
本公司經營電子元器件供應，IC主要是歐美与日系的，歡迎各位有這方面需求的客戶詢價
2013-04-08 17:38
描述K3NG keyer ver.2.1的外部面板一个简单的电子机械手，与 K3NG 的草图兼容。该设计允许在任何情况下使用外部控制面板。印刷电路板上设有孔，用于标记设备前面板上的孔。
2022-06-29 08:00
LDMOS 射频功率技术许可协议。远创达是一家总部位于中国苏州的无晶圆厂的半导体公司，专业设计制造射频功率半导体产品、模块和子系统集成。导电通道短且击穿电压高使LDMOS器件适用于无线通信系统基站射频
2018-02-28 11:44
NG-B超精密纳米编码器NG-B内容摘要：最近，我公司立足于市场需求，特推出用于XY二维定位的超精密纳米编码器。NG在制造栅格的过程中，能够保证其达到激光干涉仪的精度，
2013-11-18 14:53
FET的特性及应用电路電界效應半導體(FET: Field Effect Transistor，以下簡稱為FET)與電晶體同樣擁有古老的歷史，兩者最大差異是FET 的消
2009-09-24 15:40
TCL 21228NG彩电原理图文件下载
2021-06-24 12:22
