ART1K6FHG功率LDMOS晶体管 这款 1600 W LDMOS RF 功率晶体管基于先进耐用技术 (ART),旨在涵盖 ISM、广播和通信的广泛应用。
2024-02-29 20:57 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中,具有优异的功率开关特性和低导通电阻。采用先进的沟槽(Trench
2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压(40V)和高电流处理能力
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电压(40V)和高电流处理能力
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
,适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源电压
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4910NG-VB 是一款单通道 N-Channel MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,设计用于高性能和高效能的电子应用。封装为 TO252,具备优异的导通特性和热管
2024-11-12 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号
BLP05H6700XRY:高效LDMOS RF功率晶体管产品概述BLP05H6700XRY是Ampleon推出的一款高效LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide
2024-11-01 14:28 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术,封装为TO252。该MOSFET具有低导
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
MOSFET具有极低的导通电阻和高达100A的电流承受能力,适用于需要高功率和高效率的电子应用。### 4860NG-VB MOSFET 详细参数说明| 参数 &
2024-11-12 11:46 微碧半导体VBsemi 企业号