本文首次采用解析方法及二维计算机模拟讨论了RESURF原理应用于SOILDMOS晶体管.
2011-12-01 14:17
LDMOS器件设计中，常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LD-MOS器件，围绕当获得最优的器件结构时，其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开
2017-11-08 14:50
的首选，并广泛应用于LED驱动、电源管理及汽车电子等领域。对于LDMOS来说，比导通电阻和击穿电压是两个重要的参数，同时相互影响，降低比导通电阻和提高击穿电压是器件的设计与研究的热点与难点。目前采用的技术主要有以下几种：场板技术，
2017-11-02 14:32
FET的特性與應用電路電界效應半導體(FET: Field Effect Transistor，以下簡稱為FET)與電晶體
2009-09-21 17:38
通过对不同器件结构LDMOS的静电放电防护性能的分析对比，指出带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电防护方面的优势。
2011-12-01 11:00
求大佬分享一款适用于激光及MRI的宽带LDMOS晶体管
2021-06-08 06:29
雙極電晶體模型及電路 零件電晶體 2N3904 一枚；電阻 4.7M、1M、470k、100k、47k、4.7k、3.3k、1k、270W 各一枚；精密電阻 1k 一
2008-10-10 11:50
Integratech推出用于雷达的100W LDMOS晶体管，ILD2731M140和ILD3135M180 LDMOS晶体管
2010-06-29 11:11
LDMOS L DMOS (横向扩散金属氧化物半导体) 结构见图。 在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。 与晶体
2020-05-24 01:19
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构，采用Double RESURF技术和场板技术，耐压可达700伏。本文借助二维器件模拟软件MEDICI，分析了器件的参数对击穿电压和导通电阻的影
2010-07-14 16:28
