场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种通过改变电场来控制半导体材料导电性能的电子器件。根据导电沟道中载流子的类型，场效应管可以分为N
2024-09-23 16:41
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P沟道场效应
2024-09-23 16:38
】 主营SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封装 产品型号：HG160N10L参数：100V 8A，类型：N
2021-09-27 14:47
场效应管怎么区分n沟道p沟道 场效应管是一种常见的半导体器件，可以用于电子器件中的信号放大、开关等应用。
2023-09-02 10:05
MT3287 N沟道场效应管是一款高性能的半导体器件，广泛应用于各种电子设备和系统中。其独特的70V耐压、80A的电流承载能力以及6.8毫欧的低电阻特性，使得它在电力电
2024-07-04 15:13
■HC030N10L是一款采用SGT工艺超结MOS管，低开启电压1.5V，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强。 ■HC030
2021-01-20 11:52
CS系列N沟道结型场效应管 CS系列结型场效应管的主要特性参数见表16-2 。
2009-08-22 16:01
型号:HC3400M 参数：30V 5.8A 类型：N沟道场效应管 内阻27mR(Vgs=10V) 低结电容635pF
2021-09-27 14:20
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的导通条件是其能够正常工作的关键要素。以下是关于P沟道场效应管导通条件的详细介绍，旨在全面解析其工作原理和条件要求。
2024-09-23 17:12
场效应管（Field-Effect Transistor, FET）的N沟道和P沟道是其两种主要类型，它们在导电机制、结构特点、工作原理及应用场景上存在显著差异。要准确
2024-08-13 17:08
