PowerMOSFET有三个极，即源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。控制信号“GS加于栅极和源极之间，改动UGS的大小，便可改动漏极电流ID的大小。由于栅—源极之间的阻抗十分大，因而控制电流能够极小，简直为0，所以驱动功率很小。器件内寄生有反向二极管，它在变频器电路中起续流维护作用。
2020-07-10 14:47
基于SG3525A和IR2110的高频逆变电源设计 引言 随着PWM技术在变频、逆变频等领域的运用越来越广泛，以及IGBT、PowerMOSFET等功
2008-12-03 11:33
”。它是由金属、氧化物（SiO2或SiN）及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET（PowerMOSFET）是指它能输出较大的工作电流（几安到几十安），用于功率输出级的器件。功率MOSFET可分为增强型和耗尽型，按沟道分又可分为N沟道型和P沟道型。
2023-02-15 15:47
Semiconductor FET) ,简称功率MOSFET ( PowerMOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管 (Staticnduction Transistor--SIT) 。其特点是用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，
2023-02-22 14:13
