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型号：MSS30-CR<b class='flag-s-7'>53-E</b>45 品牌：

MSS30-CR53-E45硅肖特基 N 型二极管：低势垒MSS30,000 系列肖特基二极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造，可产生业内最高的 FCO。每个二极管的 LO 功率为 -3 dBm

2023-02-14 15:56 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：MSS30-B<b class='flag-s-7'>53-E</b>45 品牌：

MSS30-B53-E45硅肖特基桥四极管MACOM 的 MSS CR 系列肖特基交叉四极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造，可产生业内最高的 FCO。可提供从 3 dBm 到 +17 dBm

2023-02-14 16:23 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：MSS50-B<b class='flag-s-7'>53-E</b>45 品牌：

MSS50-B53-E45硅肖特基桥四极管MACOM 的 MSS CR 系列肖特基交叉四极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造，可产生业内最高的 FCO。可提供 3 dBm 至 +17 dBm

2023-02-13 15:50 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：MSS40-B<b class='flag-s-7'>53-E</b>45 品牌：

MSS40-B53-E45中势垒硅肖特基二极管MACOM 的 MSS40,000 系列肖特基二极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造，可产生业内最高的 FCO。每个二极管的 LO 功率为 0

2023-02-13 17:15 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：MSS50-CR<b class='flag-s-7'>53-E</b>45 品牌：

MSS50-CR53-E45硅肖特基 N 型二极管：高势垒MSS50,000 系列肖特基二极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造，可产生业内最高的 FCO。每个二极管的 LO 功率为 +2 dBm

2023-02-13 15:44 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：EA<b class='flag-s-7'>53</b>-2 品牌：

EA53-2可级联EA53-2 射频放大器采用分立式混合设计，采用薄膜制造工艺以实现精确的性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人印象深刻的性能。该装置采用

2023-03-16 12:54 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：MT<b class='flag-s-7'>53E</b>1536M32D4DE-046 AAT:C内存芯片 品牌：

MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C是一款高性能的DDR4 SDRAM内存芯片，由MICRON制造，专为满足现代电子设备对高速内存的需求而设计。该产品具备出色的存储性能和能效，适用于

2025-02-14 07:39 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：MT<b class='flag-s-7'>53E</b>1G32D2FW-046 WT:B存储器 品牌：

MT53E1G32D2FW-046 WT:B是一款高性能的DDR3 SDRAM存储器，由MICRON制造，专为满足现代电子设备对高速存储的需求而设计。该产品具备卓越的存储性能和能效，适用于多种应用场

2025-02-14 07:46 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：MT<b class='flag-s-7'>53E</b>1G32D2FW-046 AAT:B内存芯片 品牌：

MT53E1G32D2FW-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM内存芯片，由MICRON制造，专为满足现代电子设备对高速内存的需求而设计。该产品具备出色的存储性能和能效，适用于多种

2025-02-14 07:39 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：MT<b class='flag-s-7'>53E</b>512M32D1ZW-046 AAT:B内存芯片 品牌：

MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM内存芯片，由MICRON制造，专为现代电子设备的高速内存需求而设计。该产品具备卓越的存储性能和能效，适用于多种

2025-02-14 07:41 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号