MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间，但总是烧坏MOSFET，MOSFET选用的是IXFN420N10T，Ids可达420A，Vds最大
2016-09-06 12:51
/DC转换器IC的规格和特点。此前的报道中提到的基本功能和特点基本上没有改变，不过当时的规格和标准值还属于暂定阶段，最终还是略有变更的。技术规格书的初版现已正式发布，如
2019-04-04 06:20
有如下采集板需求，请各位网友看下规格书功能要求是否可以实现，感谢。采集板规格书一、功能要求：1、 基本板载稳压电源电路2、 联网：网口通讯功能（sever或client）3、 串口通讯：程序调试串口
2019-08-29 12:18
特性。施加栅极电压时，根据VGS的值会产生非线性曲线。当VGS超过10V时，N沟道MOSFET完全在第三象限欧姆区内工作。然而，当栅极电压低于
2021-04-09 09:20
类似于典型的二极管曲线。图5：未栅控N沟道MOSFET工作于第三象限的典型特性施加栅极电压时，根据VGS的值会产生非线性曲线。当VGS超过10V时，
2018-03-03 13:58
，另一个与积极联系起来？增强型（“常关”） 当栅极上相对于源极有足够高的正电压（逻辑电平 MOSFET 通常为 3 至 5 伏）时，N 沟道
2023-02-02 16:26
端子，看一下芯片规格书，将EN与Vin连接到一起，电源直接上电16V用表测量了一下输出电压，可以看到功耗只是16MA,输出电压是标准5V,看
2019-12-13 11:12
风华品牌贴片电感SPRH8D43-10UH 规格书
2015-02-06 13:44
VDS ：－20V（极限值）漏极电流ID：TA=25°时：-2.2A，TA=70°时：-1.4A栅极漏电流IGSS：±100nA。A2SHB（HU2302）NMOS管。晶体管类型 ： N
2020-09-21 21:26
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21
