碳化硅肖特基二极管主要特点及产品系列 基本半导体B1D系列碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 16:55
的正向损耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅
2019-01-11 13:42
，能够有效降低产品成本、体积及重量。 碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中碳化硅肖特基
2023-02-28 16:34
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电
2020-03-13 13:42
开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。
2020-06-28 17:30
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使得
2023-02-28 16:48
不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件，没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态，所涉及的电荷只有结耗尽区电荷，而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一
2020-09-24 16:22
，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。
2023-02-20 15:15
极管家族中的新成员。 相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电
2023-02-28 17:13
新的TO-247-4封装的碳化硅MOSFET模型 新的TO-247-4封装的碳化硅MOSFET模型如图2所示，我们发
2023-02-27 16:14
